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半导体结构图怎么看一、界面判别法半导体都是由三种晶体材料构成，即半导体晶片、电极与电极引线、覆盖层(包括绝缘层和窗口材料)。
电极是由金属晶体构成，因此必须以某种边界条件把整体界面分隔为电性能均匀分布的一系列有限区间，通常选用电子浓度达到一个微摩尔/厘米数量级的晶界层进行统计处理。
借助某些专门软件包中集成的可视化界而材料浏览器和各种界面提取器等工具对晶界性质与组成(面缺陷与扩散现象)、界面能与界面能带结构进行定量分析。
二、统计物理法半导体是由大量原子集团组成的，每个集团又由一个原子和几个价电子组成。
因此，半导体中原子集团的数量和价电子的分布状况是决定半导体性能的主要因素。
统计物理方法就是根据价电子在半导体中随机分布的情况，利用统计理论与方法来确定半导体性能的一种统计物理模型方法。
用这种方法进行分析的前提是要具有大规模且性能、取向、粗细都分布均匀的数据库以及完善的基础性功能条件等，目前我国还不具备这样的基础研究水平。
统计方法是一个发展的方向，已得到了较广泛的应用，可尝试在国内或上海地方创建由该数据库构成的各种测试装置以及统计分析应用软件的开发等基础条件，但到那时这种方案仍有局限性，难以得出最根本的结果——在工艺中起着重要作用的表面或晶界对半导体的导电性能具有相当大的影响。
在以上各种方法的辅助下写出科学结论文章以体现水平高低也是从事研究工作中应该学会的一种基本能力。
半导体中由于含有不同的杂质和受主中心以及电中性杂质和施主中心的原子半径的差别和不均匀性以及多晶格原子在不同温度和压力条件下相对分布的变化，都使得价电子可以在这些不同成分、不同数量和不同能量的点缺陷与位错中心之间以随机游动的电子浓度达到一定值时即以统计规律运动。
这样就在半导体表面或晶界上产生了一定的过剩或不足的现象。
当价电子过剩时称为施主现象；当价电子不足时称为受主现象；它们均与杂质原子的类型和能量有关。
在一般情况下施主与受主浓度之差产生的电位差主要取决于扩散作用的影响。
扩散是物质由于浓度梯度或电场作用而自发地由高浓度区向低浓度区迁移的现象。
半导体结构图读法1. 判断导电类型：PN结外加正向电压时，其PN结处于导通状态，此时电流较大且电压降很小(压降为零)，当外加电压为反向电压时，其PN结处于截止状态，此时电阻很大(电阻值无穷大)。
2. 判断PN结类型：根据材料可以判断PN结类型为PNP还是NPN。
3. 判断扩散源：扩散源为半导体材料表面到PN结区域之间的区域。
4. 判断扩散方向：扩散方向从扩散源到PN结区域。
三、分析晶体结构法根据半导体的晶体结构特点(如晶格类型、晶向、晶面等)来分析半导体材料的性质及缺陷问题的一种方法。
例如：根据晶体结构特点可以确定掺入施主杂质后杂质在晶体中的分布情况；根据晶体结构特点还可以确定在晶体中掺入受主杂质后杂质在晶体中的分布情况；同时还可以根据晶体结构特点来分析杂质相互竞争的情况等。
通过以上分析可以得出半导体材料的性质及缺陷问题的影响因素，为设计及制造出高性能的半导体材料提供一定的依据。
综上所述，读懂半导体结构图对于正确理解半导体材料的性质以及相关工艺具有非常重要的意义。
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